CYNSE70032
周期
1
CLK2X
PHS_L
CMDV
CMD [1：0 ]
CMD [8： 2]
写
周期
2
周期
3
周期
4
周期
5
周期
6
A
B
DQ
EOT
地址数据0数据1数据2数据3
X
图12-4 。数据的突发写入和面膜阵列（ BLEN = 4 ）
突发写入操作的持续时间（N + 2 ） CLK周期。 n表示的访问次数，在脉冲串中的BLEN指定
场WBURREG的。下面是块写操作顺序。这个操作假定主机ASIC具有
编程WBURREG与ADR和BLEN启动突发写入命令之前。
周期1A ：
主机专用集成电路应用写入指令到CMD [1：0 ] （CMD [2] = 1）利用CMDV = 1，并且地址供给
在DQ总线上，如图
表12-9 。
主机ASIC还提供了GMR指数掩盖写入数据或面罩
在CMD数组中的位置[ 5 ： 3 ] 。
循环1B ：
主机专用集成电路继续应用写入指令对CMD [1：0 ] （CMD [2] = 1）利用CMDV = 1 ，并且地址
在DQ总线上提供。主机ASIC继续提供GMR指数掩盖写入数据或掩码数组
在CMD地点[ 5 ： 3 ] 。主机ASIC选择设备而ID [ 4 ： 0 ]匹配DQ [ 25:21 ]线。它选择的所有设备
当DQ [ 25:21 ] = 11111 。
循环2 ：
主机专用集成电路驱动到DQ [67 ：0]与数据要被写入到所选择的设备的数据或掩模阵列位置。
该CYNSE70032设备从DQ写入数据[67 ：0]总线只对具有相应屏蔽位设置的子场
1 ，在GMR由索引指定的CMD [5： 3]中的周期1供给。
周期3到n + 1个：
主机专用集成电路驱动的DQ [67 ：0]与数据要写入的下一个数据或掩模阵列位置
选定的设备（由WBURREG寄存器的自动递增ADR场处理） 。
该CYNSE70032设备写入到DQ的数据[67 ：0]总线只对具有相应屏蔽位设置为1的子场
在由索引CMD指定的GMR [5 ： 3 ]在周期1提供的CYNSE70032设备驱动器的EOT信号从低
周期3到周期n ;该CYNSE70032设备驱动EOT信号N + 1 （ N为的的BLEN字段中指定高周期
WBURREG ） 。
周期n + 2 ：
TheCYNSE70032驱动EOT信号为低电平。
在周期n + 2的终端，所述CYNSE70032设备漂浮的EOT信号到一个三态操作，并且一个新的指令
可以开始了。
表12-9 。写地址格式的数据和掩码数组（突发写）
DQ
[67:26]
版权所有
版权所有
DQ
[25:21]
ID
ID
DQ
[20:19]
00 ：数据阵列
01 ：面膜阵列
DQ
[18:14]
版权所有
版权所有
DQ [13： 0]
不在乎
。这15位来自内部
WBURADR ，它与每个接入递增。
不在乎
。这15位来自内部
WBURADR ，它与每个接入递增。
文件编号： 38-02042牧师* E
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