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TMS370Cx5x
8位微控制器
SPNS010F - 1986年12月 - 修订1997年2月
数据EEPROM （续）
写入数据EEPROM模块，数据EEPROM控制寄存器（ DEECTL ）和控制
写保护寄存器（ WPR ） 。编程算法的例子都可以在
TMS370系列用户
指南
（文献编号SPNU127 ）或
TMS370系列数据手册
（文献编号SPNS014B ） 。该
数据EEPROM功能包括以下内容：
D
编程：
–
–
–
–
位，字节和块写入/擦除模式
内部电荷泵电路。不需要任何外部EEPROM编程电压供电。
控制寄存器：数据EEPROM编程数据EEPROM控制寄存器控制
（ DEECTL ）位于开始的位置P01A的PF框架。
在电路编程功能：无需移除编程它的设备。
D
写保护：写数据EEPROM被禁止在下列情况下：
–
–
–
复位：数据EEPROM模块的所有程序被暂停。
写保护激活：每个32字节EEPROM块一个写保护位。
低功耗工作模式
D
写保护可以通过将12 V到MC覆盖。
表8示出了控制寄存器的存储器映射。
地址
P014
P017
P018
P019
符号
EPCTLH
INT1
INT2
INT3
名字
EPROM编程控制寄存器 - 高阵
版权所有
外部中断1控制寄存器
外部中断2控制寄存器
外部中断3个控制寄存器
数据EEPROM控制寄存器
版权所有
版权所有
P015 – P016
P01A
P01B
DEECTL
P01C
P01D
P01E
EPCTLM
EPCTLL
EPROM编程控制寄存器 - 中层阵列
EPROM编程控制寄存器 - 低阵
表8.数据EEPROM和EPROM编程控制寄存器内存映射
为16K字节的EPROM器件，程序存储器是由P01C控制;为32K字节的EPROM器件，
程序存储器是由P01C和P01E控制;为48K字节的EPROM器件，程序存储器
通过P014 ， P01C和P01E控制。
程序的EPROM
在“ 370C756由EPROM的16K字节数组的地址位置4000H通过7FFFh表示。该
“ 370C758包括由EPROM两个16K字节数组的32K字节;第一个16K字节数组位于
在地址位置2000小时至5FFFh ，第二16K字节数组的地址为6000H的位置
通过9FFFH 。的' 370C759由该由EPROM中的3 16K字节数组的48K字节;该
第一个16K字节数组的地址为2000H的位置，通过5FFFH ，第二16K字节数组位于
在地址位置6000H通过9FFFH ，第三16K字节数组位于地址位置A000H
通过DFFFH （参见图3） 。
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邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
