ADM6819/ADM6820
引脚配置和功能描述
V
CC1 1
6
V
CC2
V
CC1 1
6
V
CC2
ADM6819
GND
2
SETV
3
05133-002
ADM6820
GND
2
SETV
3
05133-003
顶视图
5
门
（不按比例）
4
顶视图
5
门
（不按比例）
4
EN
SETD
图6. ADM6819引脚配置
图7. ADM6820引脚配置
表4.引脚功能描述
引脚数
ADM6819 ADM6820
1
1
2
3
4
2
3
–
助记符
V
CC1
GND
SETV
EN
描述
电源电压1.无论是V
CC1
或V
CC2
必须大于欠压锁定，使外部
FET驱动器。
芯片的接地引脚。
测序阈值设置。连接到一个外部电阻分压器来设置V
CC1
阈值，使门开启。内部基准电压为0.618 V.
高电平有效使能。栅极驱动启用吨
延迟
经过EN驱动为高电平。栅极驱动
马上当EN为低电平禁用。该引脚连接到V的高
CC1
or
V
CC2
如果不使用。 EN为内部相同SETV （ 0.618 V阈值） ，因此，可以
可以用作第二电源监视器，使两个电源之前进行验证
测序开始。
门延迟设置输入。连接一个外部电容， SETD至GND调整
从SETV > V延时
TH
到栅极导通。吨
延迟
(s) = 2.652 × 10
6
× C
SET
(F).
栅极驱动输出。栅极驱动一个外部N沟道FET连接V
CC2
到负载。
栅极驱动使吨
延迟
SETV超过V后
TH
和ENABLE驱动为高电平。栅极驱动
时立即SETV低于V禁用
TH
或启用被拉低。当
启用后，内部电荷泵驱动器门上方V
CCx中
全面提升外部
N沟道场效应晶体管。
电源电压2.无论是V
CC1
或V
CC2
必须大于欠压锁定，使
外部FET驱动器。
–
5
4
5
SETD
门
6
6
V
CC2
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