位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第939页 > ADG799GBCPZ-500RL7 > ADG799GBCPZ-500RL7 PDF资料 > ADG799GBCPZ-500RL7 PDF资料1第3页
ADG799A/ADG799G
特定网络阳离子
V
DD
= 5 V± 10 ％ ， GND = 0 V ，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
2
导通电阻，R
ON
在通道之间的电阻匹配， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平（ON）的
漏电流
源关闭泄漏（我
S（ OFF）
)
流掉泄漏（我
D（关闭）
)
渠道渗漏（我
D（上）
, I
秒（上）
)
动态特性
3
t
ON
, t
启用
t
关闭
, t
关闭
突破前先延时，T
D
I
2
C到GPO传播延迟，T
H
, t
L
（仅ADG799G ）
关断隔离
通道到通道的串扰
同样的交叉点开关
不同的交叉点开关
-3 dB带宽
THD + N
电荷注入
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
, C
秒（上）
电源抑制比， PSRR
微分增益误差
差分相位误差
逻辑输入
3
A0，A1， A2的销
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
输入电容，C
IN
SCL ， SDA引脚
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入漏电流，I
IN
输入滞后
输入电容，C
IN
逻辑输出
SDA引脚
3
输出低电压，V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
第0版|第24 3
条件
V
S
= V
DD
, R
L
= 1 MΩ
V
S
=V
DD
, R
L
= 75 Ω
V
D
= 0 V，I
DS
= -10毫安，见图22
V
D
= 0 V至1 V，I
DS
= -10毫安，见图22
V
D
= 0 V，I
DS
= -10毫安
V
D
= 1 V，I
DS
= -10毫安
V
D
= 0 V至1 V，I
DS
= -10毫安
V
D
= 4 V/1 V, V
S
= 1 V / 4 V，见图23
V
D
= 4 V/1 V, V
S
= 1 V / 4 V，见图23
V
D
= V
S
= 4 V / 1 V ，见图24
C
L
= 35 pF的，R
L
= 50 Ω, V
S
= 2V，参见图28
C
L
= 35 pF的，R
L
= 50 Ω, V
S
= 2V，参见图28
C
L
= 35 pF的，R
L
= 50 Ω, V
S1
= V
S2
= 2 V,
见图29
f
= 10兆赫，R
L
= 50 Ω ，见图26
f
= 10兆赫，R
L
= 50 Ω ，见图27
民
0
0
典型值
1
最大
4
3.3
5
5.5
1.85
1.85
0.55
单位
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
nA
nA
nA
2.6
0.15
0.3
±0.25
±0.25
±0.25
184
180
3
240
235
1
ns
ns
ns
ns
dB
dB
dB
兆赫
%
pC
pF
pF
pF
dB
%
度
130
60
50
80
230
0.14
4
13
17
35
70
0.56
0.79
R
L
= 50 Ω ，见图15
R
L
= 100 Ω
C
L
= 1 nF的，V
S
= 0 V ，见图30
f
= 20千赫
CCIR330测试信号
CCIR330测试信号
2.0
V
IN
= 0 V到V
DD
0.005
3
0.7 × V
DD
0.3
V
IN
= 0 V到V
DD
+0.005
0.05 × V
DD
3
0.8
±1
V
V
μA
pF
V
V
μA
V
pF
V
DD
+ 0.3
+0.3 × V
DD
±1
I
SINK
= 3毫安
I
SINK
= 6毫安
0.4
0.6
±1
10
V
V
μA
pF
