初步的技术数据
特点
<0.5 pC的电荷注入在整个信号范围
2.5 pF的电容关闭
低漏电; 0.6 nA（最大值） @ 85°C
120 Ω电阻
在+12 V ，± 15 V
无V
L
提供所需
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
8引脚SOT- 23封装
低电容，低电荷注入，
±15 V/12 V
iCMOS
SPDT采用SOT -23
ADG1219
功能框图
ADG1219
SA
SB
解码器
D
IN
EN
开关所对于逻辑“0”输入
图1 。
应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
音频/视频信号路由
通信系统
概述
该ADG1219是一款单芯片
iCMOS工艺
器件包含
SPDT开关。提供EN输入，用来使能或禁用
装置。禁用时，所有通道均关断。当上，
每个信道进行同样在两个方向，并具有
延伸到所述电源的输入信号范围。每个开关
展品先开后合式开关动作。
该
iCMOS工艺
（工业CMOS ）模块化制造
工艺结合高电压CMOS （互补金属
氧化物半导体）与双极性技术。它使
范围广泛的高性能模拟集成电路发展
可33 V工作电压的足迹，没有其他代
高电压部分已经能够实现。不像模拟IC
采用传统CMOS工艺，
iCMOS工艺
组件可以
承受高电源电压，同时还能提升perfor-
曼斯，大大降低了功耗，并降低了
封装尺寸。
超低电容和极低的电荷注入
这些多路复用器使其成为理想的数据解决方案
采集和采样 - 保持应用低毛刺
和快速建立是必需的。图2示出有
最低电荷注入过的整个信号范围
装置。
iCMOS工艺
结构也保证超低功耗
耗散，使得部件非常适合便携式和
电池供电的仪器。
0.5
0.4
0.3
电荷注入（ PC）
T
A
= 25C
V
DD
= +15V
V
SS
= –15V
0.2
0.1
0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
–15
–10
06574-041
V
DD
= 12V
V
SS
= 0V
V
DD
= +5V
V
SS
= –5V
–5
0
5
10
15
输入电压（ V）
图2.电荷注入与输入电压
启示录
PRB
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