位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1400页 > SST49LF080A-33-4C-WHE > SST49LF080A-33-4C-WHE PDF资料 > SST49LF080A-33-4C-WHE PDF资料1第18页
8兆位闪存LPC
SST49LF080A
数据表
写操作状态检测
该SST49LF080A器件提供两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询D [ 7 ]
和切换位D [ 6 ] 。写操作结束检测模式
后的WE ＃的上升沿并启动已启用
内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict与任一D [ 7]或D [6] 。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST49LF080A设备处于内部编程
操作中，任何尝试读取DQ
7
将产生的COM
二进制补码的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使
表10 ：操作模式选择（ PP模式）
模式
读
节目
抹去
RESET
写禁止
产品标识
RST ＃
OE ＃
V
IL
WE＃
虽然DQ
7
可有有效的数据紧随
在内部写操作完成后，将剩余的
数据输出仍然可能是无效的：在整个有效数据
数据总线将出现在后续读
1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作
化，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃脉冲进行编程操作。对于扇区，块，或
芯片擦除，数据＃查询后上升沿有效
第六WE ＃脉冲。参见图20为数据＃投票时间
图，图35为一个流程图。正确的状态将
不使用数据＃查询该地址是否在考虑
无效的范围。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交替'0'
和'1' ，即0和1之间切换。当内部
编程或擦除操作完成后，触发将
停止。该设备然后准备进行下一次操作。该
切换位后4个WE ＃脉冲的上升沿有效
对于编程操作。对于扇区擦除，块或片擦除，
切换位后的第6个WE ＃上升沿有效
脉搏。参见图21翻转位时序图和图 -
茜35为一个流程图。
DQ
D
OUT
D
IN
X
1
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
制造商ID （ BFH ）
器件ID
2
地址
A
IN
A
IN
扇区或块地址，
XXH芯片擦
X
X
X
请参阅表11
T10.0 1235
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
1. X可以是V
IL
或V
IH
，但没有其他价值。
2.设备ID = 5BH的SST49LF080A
2006硅存储技术公司
S71235-02-000
5/06
18
