2兆位闪存LPC
SST49LF020A
数据表
表21 ：读周期时序参数，V
DD
= 3.0-3.6V （ PP模式）
符号
T
RC
T
RST
T
AS
T
AH
T
AA
T
OE
T
OLZ
T
OHZ
T
OH
参数
读周期时间
RST ＃高到行地址设置
R / C＃地址建立时间
R / C＃地址保持时间
地址访问时间
输出启用访问时间
OE ＃低到有源输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
0
0
35
民
270
1
45
45
120
60
最大
单位
ns
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T21.0 1206
表22 ：编程/擦除周期时序参数，V
DD
= 3.0-3.6V （ PP模式）
符号
T
RST
T
AS
T
AH
T
CWH
T
OES
T
OEH
T
OEP
T
OET
T
WP
T
WPH
T
DS
T
DH
T
IDA
T
BP
T
SE
T
BE
T
SCE
参数
RST ＃高到行地址设置
R / C＃地址建立时间
R / C＃地址保持时间
R / C＃来写使能高电平时间
OE ＃高的建立时间
OE ＃高保持时间
OE ＃到数据＃轮询延迟
OE ＃键切换位延迟
WE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽高
数据建立时间
数据保持时间
软件ID准入和退出时间
字节编程时间
扇区擦除时间
块擦除时间
芯片擦除时间
100
100
50
5
150
20
25
25
100
民
1
50
50
50
20
20
40
40
最大
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ms
ms
ms
T22.0 1206
表23 ：复位时序参数，V
DD
= 3.0-3.6V （ PP模式）
符号
T
PRST
T
RSTP
T
rstf重新
T
RST
1
参数
V
DD
稳定低复位
RST ＃脉冲宽度
RST ＃低到输出的浮动
RST ＃高到行地址设置
RST ＃低到时以部门/块擦除或编程复位
RST ＃低到在芯片擦除复位
民
1
100
最大
单位
ms
ns
48
1
10
50
ns
s
s
s
T23.0 1206
T
RSTE
T
RSTC
1.有可能是额外的复位延迟时间，由于与T
RSTE
或T
RSTC
如果一个编程或擦除操作过程中进行复位操作。
2006硅存储技术公司
S71206-08-000
5/06
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