4兆位/ 8兆位LPC串行闪存
SST49LF004C / SST49LF008C
超前信息
方案。在PDA还可以用于存储系统CON-
组fi guration
数据
（ EEPROM
更换） 。
该
SST49LF00xC还提供通用输入（ GPI ）
用于系统设计的灵活性。
该SST49LF00xC闪存器件制造
与SST专有的高性能超快闪技
术。分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿
注入器可实现更高的可靠性和可制造性的COM
相比与替代技术的方法。该
SST49LF00xC设备显著提高性能
和可靠性，同时降低功耗。该
SST49LF00xC设备写入（编程或擦除）的系统
与单个3.0-3.6V电源。它使用更少的能源
擦除和编程比其他闪存中
技术。
所消耗的总能量是所施加电压的函数的
年龄，电流和应用的时间。因为对于任何给定
电压范围， SuperFlash技术使用更少的电流
租来编程，并且具有擦除时间更短，总
在任何擦除或编程操作所消耗的能量
低于其他闪存技术。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克时，独立擦除的数量/程序
已进行的循环。因此，系统软件
或硬件不必进行校准或相关的
擦除周期的累计次数为必要用
其他闪存技术，其擦除和
节目时间的增加与积累擦除/编程
周期。为了防止意外写操作时，
SST49LF00xC器件具有片上硬件和软件
写保护方案。它提供以一个典型endur-
ANCE 10万次。数据保留的额定功率为更大
超过100年。
该SST49LF00xC产品提供了最高纲领
每字节10微秒的一个单字节编程操作时间
化;每字节有效5微秒用双字节计划
每个字节的操作和2.5微秒有四字节的程序
操作。写操作结束的可由RY / BY ＃引脚来检测
输出中的AAI模式和通过读取软件状态稳压
期间在系统程序存器或擦除操作。
该SST49LF00xC在32 PLCC提供，和32的TSOP
包。此外， SST49LF00xC设备
在解决无铅（非铅）封装选择提供
在电子康波非铅的解决方案不断增长的需求
堂费。无铅封装版本，可以通过命令─获得
荷兰国际集团的产品以“ E”的封装代码后缀的
环保属性，在产品零件号。看
图3和图4的引脚分配和表1针
说明。
200了Silicon Storage Technology ， Inc.的
S71292-00-000
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