电气特性
ST1S12xx
4
表6 。
电气特性
对于ST1S12G电气特性
V
IN
=V
EN
≤ 3.6 V ，C
IN
= 4.7 μF ，C
O
= 10 μF ， L = 2.2 μH ，T
J
= -40 125 ℃（除非另有
指定的。典型值被称为25° C）的
参数
反馈电压
V
FB
销偏置电流
最小输入电压
静态电流
输出电流
启用阈值
启用引脚电流
V
IN
= 2.5V至5.5V
注1
I
O
= 10mA至700毫安
注1
1.16
0.05
I
O
= 10mA至0.7A
V
IN
=V
EN ，
V
FB
=0.65V
V
EN
= 0 ， T = -40 ° C至85°C
V
IN
= 2.5 5.5V
注1
设备上，V
IN
= 2.5 5.5V
设备关闭
0.7
1.5
V
0.5
1
0.1
A
%V
O
/ΔV
IN
%V
O
/ MA
兆赫
%
Ω
Ω
A
%
90
130
150
15
I
O
= 100mA至700毫安，T
A
= 25°C
t
R
= t
F
≥
200ns的，C
O
=22F
注1
I
O
= 10mA至我
O
=总之，T
A
= 25°C
注1
-5
-10
+5
+10
°C
°C
%V
O
%V
O
测试条件
T
J
= -40 125 ℃的
分钟。
582
-50
2.5
500
600
1
典型值。
600
马克斯。
618
50
单位
V
nA
V
A
A
A
符号
FB
I
FB
V
IN
I
Q
I
O
V
EN
I
EN
%V
O
/ΔV
IN
参考线路调整
%V
O
/ΔI
O
PWMF
S
D
最大
参考负载调节
PWM开关频率
最大占空比
0.0025 0.005
1.7
2.08
100
R
DSON
-N NMOS开关导通电阻
R
DSON
-P PMOS开关导通电阻
I
SWL
½
T
SHDN
T
HYS
%V
O
/ΔI
O
%V
O
/ΔI
O
开关电流限制
效率
注1
热关断
热关断迟滞
负载瞬态响应
短路去除
响应
I
SW
= 100毫安
I
SW
= 100毫安
注1
I
O
= 10mA至100mA时V
O
= 1.8V
I
O
= 100mA至0.7A ，V
O
= 1.8V
0.25
0.25
1.6
80
0.4
0.45
注意：
1
通过设计保证，但在生产中测试。
6/20
