200
35
F = 1MHz的
P
D
，功耗（毫瓦）
30
150
C
T
，电容（pF ）
25
20
CIBO
15
10
科博
5
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1 ，最大功耗与
环境温度
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
R
，反向电压（V）的
图。 2 ，典型的电容特性
-0.6
I
C
= 10
I
B
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
-1.6
V
CE （ SAT ）
，集电极到发射极
饱和电压（ V）
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-0.001
I
C
= -1mA
I
C
= -10mA
I
C
= -300mA
I
C
= -100mA
-0.5
-0.4
I
C
= -30mA
-0.3
T
A
= 150°C
-0.2
T
A
= 25°C
-0.1
T
A
= -50°C
0
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1
-10
-100
-1000
I
B
,
基极电流（毫安）
图。 3 ，典型集电极饱和区
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4 ，集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流
-1.0
V
BE（上）
，基极发射极电压（ V）
V
CE
= -5V
T
A
= 150°C
V
CE
= -5V
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
T
A
= 25°C
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
T
A
= 150°C
T
A
= -50°C
h
FE
，直流电流
增益（归）
100
T
A
= 25°C
T
A
= -50°C
10
1
-1
-10
-100
-1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 5 ，直流电流增益VS
集电极电流
-0.1
-1
-10
-100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 6 ，基射极电压
与集电极电流
DS30081牧师8 - 2
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