STA306
电气特性的影响
(V
DD3
= 3.3V ± 0.3V; V
DD
= 2.5V ±0.2V ;牛逼
AMB
= 0至70℃ ;除非另外
明智的规定）
通用接口电气特性
符号
I
il
I
ih
I
OZ
V
ESD
参数
低电平输入没有上拉
高电平输入没有上拉下来
无三态输出漏
上拉/ DOWN
静电防护
测试条件
V
i
= 0V
V
i
= V
DD3
V
i
= V
DD3
泄漏< 1μA
2000
分钟。
典型值。
马克斯。
1
2
2
单位
A
A
A
V
记
1
1
1
2
注1：泄漏电流通常很小， <为1nA 。这里给出的值是最大的针上的静电应力之后。
注2 ：人体模型
DC电气特性： 3.3V缓冲区
符号
V
IL
V
IH
V
ilhyst
V
ihhyst
V
HYST
V
ol
V
oh
参数
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平阈值
高水平的门槛
施密特触发器迟滞
低电平输出
高电平输出
IOI =为100uA
IOH = -100uA
IOH = -2mA
VDD3-0.2
2.4
输入下降
输入上升
2.0
0.8
1.3
0.3
1.35
2.0
0.8
0.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
0.8
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
DC电气特性： 2.5V缓冲区
符号
V
ILST
V
IHST
V
ilhyst
参数
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平阈值
测试条件
施密特输入
施密特输入
非施密特，输入
落下
非施密特，输入
升起
1.3
0.7*VDD
0.5*VDD
分钟。
典型值。
马克斯。
0.26*VDD
单位
V
V
V
V
ihhyst
高水平的门槛
0.5*VDD
2.0
V
V
HYST
V
OL
V
OH
施密特触发器迟滞
低电平输出
高电平输出
注1
注1
0.23*VDD
0.15*VDD
0.85*VDD
V
V
V
注：1。源出/吸入电流下的最坏情况的条件。
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