STG5223
低压0.5
Ω
双路SPDT开关
有突破前先
特点
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超低功耗：
I
CC
= 0.2
μ
A（ MAX 。 ）在T
A
= 85 °C
低导通电阻：
– R
ON
= 0.50
Ω
（最大吨
A
= 25℃）在
V
CC
= 4.3 V
– R
ON
= 0.55
Ω
（最大吨
A
= 25℃）在
V
CC
= 3.6 V
– R
ON
= 0.55
Ω
（最大吨
A
= 25℃）在
V
CC
= 3.0 V
宽工作电压范围：
V
CC
（ OPR ）= 1.65 V至4.3 V单电源供电
5 V宽容和1.8 V兼容门槛
在V数字控制输入
CC
= 1.65 4.3 V
闭锁性能超过300毫安
（ JESD 17 ）
ESD性能：
HBM > 2千伏（ MIL STD 883方法3015 ）
QFN10L
（ 1.8 ×1.4 MM）
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描述
该STG5223是一个高速CMOS双模拟
SPDT （单刀双掷）开关或双2 ： 1
复用器/解复用器总线开关制作
硅栅
2
MOS技术。它被设计成
1.65操作以4.3 V，使这器件
非常适合便携式应用。
它提供了非常低的导通电阻（ <0.5
Ω)
at
V
CC
= 3.0 V的输入NIN提供给
控制开关。开关60034-1为ON
（连接到公共端口DN）时， NIN
输入保持高OFF（高阻抗状态
在两个端口之间存在的话）时，宁举行
低。开关NS2上（连接到
在NIN输入保持低电平时常用的端口，DN）
和OFF（之间存在高阻抗状态
这两个端口）在保持高。其他关键
特点是开关速度快，突破，直至─
使延迟时间和超低功耗
消费。所有输入和输出都配备
以防止静电放电保护电路，
给他们的抗ESD能力和瞬态过剩
电压免疫力。
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表1中。
设备简介
订货编号
STG5223QTR
包
QFN10L （ 1.8 ×1.4 MM）
包装
磁带和卷轴
2008年1月
REV 1
1/19
www.st.com
19
