S T摹8206
S amHop微电子 ORP 。
十二月， 27.2004 ver1.2
双数控hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
20V
F ê乌尔（E S）
( m
W
）最大
I
D
6A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
20 @ V
的s
= 4.5V
30 @ V
的s
= 2.5V
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
D
2
8
S
2
7
S
2
6
G
2
5
牛逼S S小OP
1
（T OP V IE W）
1
2
3
4
D
1
S
1
S
1
G
1
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
@ T
J
=25 C
b
-P ulsed
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度法兰
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
20
12
6
40
2
1.5
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到环境
a
R
JA
85
C / W
1
