STM32F103xx
表56 。
日期
修订历史
文档修订历史（续）
调整
变化
图2 ：第16页上的时钟树
补充说。
最大的T
J
在给定的值
表6 ：在热特性
第31页。
添加CRC功能（见
CRC（循环冗余校验）计算
单元9页
和
图8 ： 26页的存储器映射
对地址）。
I
DD
修改
表14：在典型和最大电流消耗
停止和待机模式。
加
恒指
修改
表23 ：第48页上的HSI振荡器的特性，
注2中删除。
P
D
, T
A
和T
J
加，T
PROG
改性和t值
PROG
说明澄清
in
表27 ：第50页上的闪存特性。
t
RET
修改
表28 ：闪存耐用性和数据保留。
V
NF （ NRST ）
单位纠正
表36 ：在NRST引脚特性
第56页。
表40 ：第60页上的SPI特点
修改。
I
VREF
加入
表44 ：第64页上的ADC性能。
表46 ： ADC精度 - 有限的试验条件
补充说。
表47 ： ADC
准确性
修改。
更新LQFP100封装规格（请参阅
第6节：包装
第69页上的特性） 。
推荐LQFP100 ， LQFP 64 ， LQFP48和VFQFPN36
加入脚印（见
图38 ，图40 ，图42中
和
图34）。
第6.2节：第76页上的热特性
修改
第6.2.1节
和
第6.2.2节
补充说。
附录A ：第81页的重要说明
删除。
小文的变化。
图8 ：内存映射
澄清。
In
表28 ：闪存耐用性和数据保留：
– N
结束
测试在整个温度范围内
- 在t指定的循环条件
RET
– t
RET
分修改在T
A
= 55 °C
V
25
， Avg_Slope和T
L
修改
表48 ：TS特点。
CRC功能去掉。
14-Mar-2008
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