电气特性
STM32F101xx
5.3.4
内置参考电压
在给定的参数
表10
在环境从测试得到的执行
温度和V
DD
电源电压条件总结在
表7中。
表10 。
符号
V
REFINT
T
S_vrefint(1)
内置内部参考电压
参数
内部参考电压
阅读时ADC的采样时间
内部基准电压
条件
-40°C <牛逼
A
< +85°C
民
1.16
典型值
1.20
5.1
最大
1.24
17.1
单位
V
s
1.最短采样时间可通过多次迭代的应用来确定。
5.3.5
电源电流特性
如上述的电流消耗测量
图11 ：电流消耗
测量方案。
最大电流消耗
微控制器被放置在下述条件下：
●
●
●
●
●
所有的I / O引脚的输入模式，在V的静态值
DD
或V
SS
（无负载）
所有的外设都被禁止，如果它被明确提及，除了
Flash访问的时间调整到f
HCLK
频率（0等待状态从0到24兆赫， 1
等待状态24 36兆赫）
预取ON （提醒：该位必须设置时钟和总线预分频之前设置）
当启用f显示外设
PCLK1
= f
HCLK/2
, f
PCLK2
= f
HCLK
在给定的参数
表11
在环境从测试得到的执行
温度和V
DD
电源电压条件总结在
表7中。
表11 。
最大消耗电流在运行模式，数据处理代码
从Flash中运行
最大
(1)
符号
参数
条件
f
HCLK
T
A
= 85 °C
36兆赫
外部时钟
(2)
，所有
外设启用
I
DD
电源电流
在运行模式
外部时钟
(2)
，所有
外设禁用
24兆赫
16兆赫
8兆赫
36兆赫
24兆赫
16兆赫
8兆赫
根据表征结果1.数据，而不是在生产测试。
2.外部时钟为8 MHz和PLL是当f
HCLK
> 8 MHz的;外部时钟为9兆赫对于f
HCLK
= 36兆赫。
单位
28.6
19.9
14.7
8.6
mA
19.8
13.9
10.7
6.8
30/74
