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电气特性
STM32F101xx
典型电流消耗
微控制器被放置在下述条件下:
所有的I / O引脚的输入模式,在V的静态值
DD
或V
SS
(无负载)
所有的外设都被禁止,如果它被明确提及,除了
Flash访问的时间调整到f
HCLK
频率(0等待状态从0到24兆赫, 1
等待状态24 36兆赫)
在给定的参数
表13
在环境从测试得到的执行
温度和V
DD
电源电压条件总结在
表7中。
表13 。
符号
典型的电流消耗,在运行和休眠模式
(1)
参数
条件
振荡器频率为8 MHz带PLL运行,运行的代码
从Flash ,所有外设禁用(见RCC寄存器
描述)表示:f
PCLK1
= f
HCLK
/2, f
PCLK2
= f
HCLK
f
HCLK
36兆赫
24兆赫
16兆赫
8兆赫
运行于HSI时钟,代码从Flash中运行时,所有
外设禁用(见RCC寄存器说明) :
f
PCLK1
= f
HCLK
/2, f
PCLK2
= f
HCLK 。
AHB预分频器使用
供应电流,以降低频率
运行模式
4兆赫
2兆赫
1兆赫
500千赫
125千赫
8兆赫
运行于HSI时钟,从RAM运行的代码,所有的
外设禁用(见RCC寄存器说明) :
f
PCLK1
= f
HCLK
/2, f
PCLK2
= f
HCLK 。
AHB预分频器使用
降低频率
4兆赫
2兆赫
1兆赫
500千赫
125千赫
振荡器频率为8 MHz带PLL运行,运行的代码
从Flash ,所有外设禁用(见RCC寄存器
描述)表示:f
PCLK1
= f
HCLK
/2, f
PCLK2
= f
HCLK
在电源电流
睡眠模式
运行于HSI时钟,代码从Flash中运行时,所有
外设禁用(见RCC寄存器说明) :
f
PCLK1
= f
HCLK
/2, f
PCLK2
= f
HCLK 。
AHB预分频器使用
降低频率
36兆赫
24兆赫
16兆赫
8兆赫
4兆赫
2兆赫
1兆赫
500千赫
典型值
(2)
待定
13
待定
7.8
7
6.3
mA
6.2
6.1
5.95
2.3
1.6
1.2
mA
1
0.88
0.82
待定
待定
1
待定
待定
待定
待定
待定
mA
mA
mA
单位
I
DD
1.待定手段来确定。
2.典型值是在T措施
A
= 25 ° C,V
DD
= 3.3 V.
30/64

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