STM690/704/795/802/804/805/806
片选控制（ STM795只）
该芯片内部选通使能（ E）信号预
从损坏的外部通风口错误数据
CMOS RAM中的欠压CON-事件
DITION 。该STM795采用了串行传输
门给E到E
CON
（参见图
12).
去甲时
MAL操作（复位不能断言） ，电子transmis-
锡安门被启用，通过所有的E转换。
当复位有效，此路径显示
体健，防止损坏错误数据
CMOS RAM中。短ê传播延迟
给E到E
CON
使所使用的STM795
与大多数的μP 。如果E为低电平时复位断言，
E
CON
依然很低一般为10μs ，以使
当前的写周期完成。
芯片使能输入（ STM795只）
该芯片使能传输门被禁用，
E为高阻抗（禁用模式），而复位
为有效。在断电序列时，
V
CC
通过复位阈值时，芯片使能
传输门禁用和E立即为─
谈到如果在E中的电压高阻抗高。
如果E为低电平时复位断言，芯片启用
传输门会关闭AS-复位后为10μs
serts （见图
13).
这允许电流
写周期过程中掉电完成。
图12.片选控制
V
CC
V
RST
比较
t
REC
发电机
RST
V
OUT
E
CON
产量
控制
E
AI08802
产生一个复位任何时候，芯片使能
传输门保持禁用和E遗体
高阻抗（不管E活性）为
复位超时周期的前半部分（T
REC
/ 2）。当
芯片使能传输门被使能，
的E阻抗表现为SE-一个40Ω的电阻
里斯与负载达E
CON
。的传播延迟
通过芯片使能传输门DE-
暂时搁置对V
CC
，该驱动器的源阻抗
连接到E和E上装载
CON
。该芯片
使传播延迟生产测试
从E中的50 ％点在E中的50 ％点
CON
使用50Ω驱动器和一个50pF的负载电容
（见
图36 ，第23页） 。
最低propaga-
化延迟，尽量减少在E中的容性负载
CON
与使用低输出阻抗的驱动程序。
芯片使能输出（ STM795只）
当芯片使能传输门是烯
体健，E的阻抗
CON
相当于一个
40Ω的电阻串联驱动E.在源
禁用模式中，传输门处于关闭状态
和活跃的上拉连接é
CON
到V
OUT
（见
科幻gure
12).
这种上拉关闭传输时
任务门处于开启状态。
E
CON
图13.芯片使能波形（ STM795 ）
V
CC
V
RST
V
BAT
½ trec
TREC
½ trec
10s
TREC
E
CON
RST
E
AI08855c
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