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怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
工作温度
电源电压范围（V
CC
)
信号电压范围
存储温度范围
耐力（写入/擦除周期）
-55到+125
-0.5到+4.0
-0.5到+0.5的Vcc
-55到+150
百万分钟。
单位
°C
V
V
°C
周期
W72M64VK-XBX
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的
参数
WE1-4 ＃电容
CS1-4 ＃电容
数据I / O容量
地址输入电容
RESET ＃电容
RY / BY ＃电容
OE ＃电容
符号
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
C
RS
C
RB
C
OE
最大
8
8
10
30
26
26
32
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。延长运行在最高水平可能会降低性能，
影响可靠性。
此参数由设计保证，但未经测试。
推荐工作条件
参数
电源电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
符号
V
CC
T
A
T
A
民
3.0
-55
-40
最大
3.6
+125
+85
单位
V
°C
°C
参数
图形数据
保留时间
数据保留
测试条件
150°C
125°C
民
10
20
单位
岁月
岁月
直流特性 - CMOS兼容
V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2,3 ）
V
CC
待机电流（ 2 ）
自动休眠模式（ 2,4,5 ）
V
CC
活跃的同时读 - 编程电流（ 1,2 ）
V
CC
活动的程序，而擦除电流（ 1,2 ）
V
CC
积极的计划，虽然-擦除暂停电流（ 2,5）
A
CC
加快现有项目
输入低电压
输入高电压
电压WP ＃ / A
CC
扇形
保护/取消保护，并计划加速
电压自动选择和临时机构撤消
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压（ 5 ）
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC5
I
CC6
I
CC7
I
CC8
I
加
V
IL
V
IH
V
HH
V
ID
V
OL
V
OH1
V
LKO
条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 3.6V, V
OUT
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
＃ ， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS ＃ = V
IL
＃ ， OE = V
IH
， WE＃ = V
IL
CS ＃ = RESET ＃ = V
CC
± 0.3V
V
IH
= V
CC
± 0.3V;
V
IL
= V
SS
± 0.3V
CS ＃ = V
IL
＃ ， OE = V
IH
CS ＃ = V
IL
＃ ， OE = V
IH
CS ＃ = V
IL
＃ ， OE = V
IH
CS ＃ = V
IL
＃ ， OE = V
IH
ACC引脚
VCC引脚
V
CC
=分钟
V
CC
= 3.0V + 0.3V
V
CC
= 3.0V + 0.3V
I
OL
= 4.0毫安， V
CC
= 3.0V
I
OH
= -2.0毫安，V
CC
= 3.0V
民
-10
-10
最大
10
10
65
120
400
400
180
180
140
40
120
0.8
V
CC
+ 0.3
9.5
12.5
0.45
2.5
单位
A
A
mA
mA
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
-0.5
2.1
8.5
8.5
2.55
2.3
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5 MHz ）的频率依赖分量。
的频率分量通常是小于8毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2.我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CC
最大
3. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
4.自动休眠模式可以在地址保持稳定吨的低功耗模式
加
+为30ns 。
5.未经测试。
2005年4月
第0版
3
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