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HI -200 ， HI- 201

模具特点

金属化：

类型： CUAL

厚度： 16K

±2k

钝化：

类型：氮化物超过SILOX

氮化物厚度： 3.5K

±1k

二氧化硅层厚度： 12K

±2k

最坏情况下的电流密度：

2 x 10

5

A /厘米

2

为25mA时，

金属掩模布局

HI-200

GND

A

2

A

1

V+

2

1

10

9

IN 2

3

8

IN 1

输出2

4

5

V-

6

V

REF

7

出1

9

FN3121.8

2005年4月6日

9

共10页

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