CYStech电子股份有限公司
低V
CE （ SAT ）
PNP外延平面晶体管
规格。编号： C817N3
发行日期： 2003年6月17日
修订后的
吃： 2004年7月1日
页次： 1/4
BTB1424LN3
特点
低V
CE （ SAT ）
通常0.3 V ，在我
C
/ I
B
= -2A / -0.2A
出色的电流增益特性
补充BTD2150LN3
符号
BTB1424LN3
概要
SOT-23
B：基本
C：收藏家
E：发射器
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
功耗
热阻，结到环境
结温
储存温度
注：单脉冲PW ≦ 350μS ，占空比≦ 2 ％ 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
Pd
R
θJA
Tj
TSTG
极限
-40
-30
-5
-3
-7
（注）
225
556
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
A
mW
° C / W
°C
°C
BTB1424LN3
CYStek产品规格
