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XC164KM
衍生产品
功能说明
3.1
内存子系统和组织
该XC164KM的存储器空间被配置在一个冯诺依曼体系结构，其
意味着所有的内部和外部资源，例如代码存储器，数据存储器，
寄存器和I / O端口，在相同的线性地址空间内举办。这
公共存储器空间包含16兆字节并且被布置为256段
每64千字节，其中每个段包含的每16千字节4的数据页。
整个存储空间，可以访问聪明睿智的字节或字。的部
片上DPRAM和寄存器空间（ E / SFR ），另外有直接做
位寻址。
内部数据存储区和特殊功能寄存器区（ SFR和
ESFR ）映射到段0，则系统的段。
程序管理单元（ PMU ）处理所有的取指操作，因此，控制
访问到程序存储器，如闪存和PSRAM 。
数据管理单元（ DMU ）处理所有的数据传输，因此，控制
访问到DSRAM和片上外设。
这两个单元（ PMU和DMU ）是通过高速系统总线连接到交换
数据。这是必需的，如果从程序存储器中，代码被读取的操作数或数据被写入
到PSRAM ，或从中读取数据或向其写入LXBus上的外围设备（如
TwinCAN ） 。系统总线允许的最大并发双向通信
转印性能。
64或32 KB片上闪存
存储代码或常量数据。片上
闪存存储器分为4个8 KB的部门和一个32字节（ XC164KM - 8F
只）部门。每个扇区可单独写保护
1)
，擦除和编程
（以128字节为单位） 。整个Flash存储区可被读保护。密码
序列暂时解锁保护区。闪存模块结合非常快
与受保护的，高效的算法，编写64位单周期读访问
编程和擦除。因此，程序执行了内部闪存的结果在
最大性能。动态纠错提供了极高的读取数据
安全性对于所有的读访问。
编程通常是每128字节块2毫秒（ 5毫秒最大） ，擦除扇区
通常需要200毫秒（ 500毫秒最大） 。
2 KB片上SRAM程序的（ PSRAM ）
被提供用于存储用户代码或数据。
该PSRAM通过PMU访问，因此优化的代码读取。
2 KB片上数据SRAM （ DSRAM ）
被提供作为存储用于一般用户
数据。该DSRAM经由该DMU访问，因此对数据进行了优化
访问。 DSRAM仅在XC164KM -8F衍生物可用。
2 KB的片上双端口RAM （ DPRAM ）
被提供作为存储为用户
定义的变量，系统堆栈，通用寄存器组。寄存器组
1 ）每2个8 KB的部门被合并为写保护的目的。
数据表
15
V1.0, 2005-11
