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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW4IC2020N
牧师9 ， 5/2006
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW4IC2020N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可以使用1600年至2400年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为26至28伏的操作，涵盖所有典型蜂窝基站
站调制格式。
最终的应用
典型的两个 - 音频性能： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 80 mA时，我
DQ2
=
200毫安，我
DQ3
= 300毫安， P
OUT
= 20瓦PEP ，全频段
功率增益 - 29分贝
IMD - - 32 dBc的
漏极效率 - 26 ％ （在1805兆赫）和20 ％ （在1990年兆赫）
驱动器应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 80 mA时，我
DQ2
=
230毫安，我
DQ3
= 230毫安， P
OUT
= 5瓦平均，全频段
功率增益 - 29分贝
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 66 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 77 dBc的
EVM - 1 ％ RMS
典型的CDMA性能： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 80 mA时，我
DQ2
=
240毫安，我
DQ3
= 250毫安， P
OUT
。 = 1瓦的魅力，全频波段， IS - 95
CDMA （先导，同步，寻呼，交通守则8 13 ） ，信道频带 -
宽度= 1.2288兆赫。 PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 30分贝
ACPR @ 885 kHz偏置= - 61 dBc的30 kHz带宽
ALT1 @ 1.25 MHz偏移= - 69 dBc的12.5 kHz带宽
ALT2 @ 2.25 MHz偏移= - 59 dBc的1 MHz带宽
能够处理3 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电，1990兆赫， 8瓦CW
输出功率
稳定到一个3:1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 100毫瓦至8 W CW P
OUT
.
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞， >5欧姆输出）
集成的温度补偿与启用/禁用功能
在 - 片内电流镜克
m
FET参考自偏置的应用
(1)
集成ESD保护
200℃有能力塑料包装
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米500台， 13英寸的卷轴
V
RD1
V
RG1
V
DS2
V
DS1
MW4IC2020NBR1
MW4IC2020GNBR1
1805- 1990兆赫， 20 W， 26 V
GSM / GSM EDGE，CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE 1329至1309年
TO - 272 WB - 16
塑料
MW4IC2020NBR1
CASE 1329A - 03
TO - 272 WB - 16 GULL
塑料
MW4IC2020GNBR1
GND
V
DS2
V
RD1
V
RG1
V
DS1
3阶段我
C
RF
in
V
DS3
/ RF
OUT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
16
15
GND
14
V
DS3/
RF
OUT
RF
in
V
GS1
V
GS2
V
GS3
静态电流
温度补偿
V
GS1
V
GS2
V
GS3
GND
13
12
GND
（ TOP VIEW ）
注：背面裸露的标志是源
终端晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1987 ，
静态电流控制的射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1987 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MW4IC2020NBR1 MW4IC2020GNBR1
1
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