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三菱HVIGBT模块
CM1200HB-66H
第二-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
最大额定值
( TJ = 25
°
C)
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E(注2 )
I
EM (注2)
P
C(注3 )
T
j
T
英镑
V
ISO
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
安装力矩
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V
DC ,T
C
= 100°C
脉冲
脉冲
T
C
= 25 ° C, IGBT的一部分
条件
评级
3300
±20
1200
2400
1200
2400
15600
–40 ~ +150
–40 ~ +125
6000
6.67 ~ 13.00
2.84 ~ 6.00
0.88 ~ 2.00
2.2
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
N·m的
kg
(注1 )
(注1 )
带电部分底板, RMS ,正弦, 60Hz的交流电1分钟。
主端子螺钉M8
安装螺钉M6
辅助端子螺丝M4
典型的价值
电气特性
( TJ = 25
°
C)
符号
I
CES
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 120毫安,V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 1200A ,V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 1650V ,我
C
= 1200A ,V
GE
= 15V
V
CC
= 1650V ,我
C
= 1200A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 1.6
阻性负载开关操作
I
E
= 1200A ,V
GE
= 0V
I
E
= 1200A,
模具/ DT = -2400A /
s
结到管壳, IGBT的一部分
结到外壳, FWDI部分
案例鳍,导电脂应用
4.5
范围
典型值
6.0
3.80
4.00
180
18.0
5.4
8.6
2.80
400
0.006
最大
15
7.5
0.5
4.94
1.60
2.00
2.50
1.00
3.64
1.40
0.008
0.016
单位
mA
V
A
V
nF
nF
nF
C
s
s
s
s
V
s
C
K / W
K / W
K / W
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 射极
V
GE (日)
阈值电压
栅极漏电流
I
GES
集电极 - 发射极
V
CE ( SAT )
饱和电压
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
总栅极电荷
Q
G
t
D(上)
导通延迟时间
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
打开-O FF延迟时间
t
f
关断下降时间
V
统(注2)
发射极 - 集电极电压
t
RR (注2 )
反向恢复时间
Q
RR (注2 )
反向恢复电荷
R
日(J -C ) Q
热阻
R
日(J -C )R
R
TH( C-F )
接触热阻
注: 1 。
2.
3.
4.
(注4 )
(注1 )
脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 (T
j
)不超过牛逼
JMAX
投资评级。
I
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
&模/ dt的代表反平行的特点,发射极 - 集电极续流二极管。
结温(T
j
)不应增加超过150℃。
脉冲宽度和重复速率应是这样的,使得可以忽略的温度上升。
HVIGBT模块(高压绝缘栅双极晶体管模块)
2003年3月

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