LTC4214-1/LTC4214-2
PI FU CTIO S
V
IN
（引脚1 ） ：
正电源输入。该引脚连接到
经由电阻器的供给的正侧。内部
欠压锁定（ UVLO ）电路保持GATE为低电平，直到
在V
IN
销大于V
LKO
（ 5.1V ） ，覆盖紫外和
OV 。如果UV高， OV低， V
IN
出来UVLO的，
定时器启动初始定时周期启动一个门前
斜坡上升。如果V
IN
低于约4.8V ， GATE
立即拉低。
PWRGD （引脚2 ） ：
电源良好状态输出。在启动时，
PWRGD锁存低，如果漏低于1.232V和GATE
距离第五2.8V
IN
。 PWRGD状态由UV ，V重置
IN
（ UVLO）或断路器故障超时。该引脚
由50μA电流源拉高。
SS （引脚3 ） ：
软启动引脚。该引脚用于斜坡冲击
目前在启动时，从而实现控制权的di /
DT 。 SS引脚电压的20倍减毒版本
呈现给限流放大器。这减弱
电压限制了MOSFET的漏极电流通过
软启动限流期间检测电阻。在
在开始启动周期，在SS电容器（三
SS
）是
通过内部22μA电流源斜坡。 GATE引脚被保持
为低电平，直到SS超过20 V
OS
= 0.2V 。 SS是内部
一个73K的电阻并联（R
SS
），这限制了SS引脚
电压为1.6V 。这对应于模拟电流
为70mV限SENSE电压。如果SS电容
省略时，SS引脚坡道从0V至1.6V约220μs 。
SS引脚在以下任一操作拉低
条件：在UVLO ，在欠压状态下，在
过压条件下，在最初的定时周期或
当断路器故障超时。
SENSE （引脚4 ） ：
断路器/限流检测引脚。
负载电流由感电阻R监视
S
CON-
SENSE和V之间连接的
EE
和控制在三个
步骤。如果SENSE超过V
CB
（为50mV ） ，该断路器
比较器激活（ 40μA + 8 我
DRN
）定时器拉
电流。如果SENSE超过V
ACL
（为70mV ） ，将模拟电流
租金限制放大器拉GATE下来，调节MOSFET
目前在V
ACL
/R
S
。在一个灾难性的短期的事件
电路中， SENSE可能会过冲为70mV 。如果SENSE河段
V
整箱
（ 200mV的） ，快速电流限制比较拉
低栅具有强大的上拉下来。要禁用电路
断路器和电流限制功能， SENSE连接到V
EE
.
V
EE
（引脚5 ） ：
负电源电压输入。这个连接
引脚连接到电源的负极。
GATE （引脚6 ） ：
N沟道MOSFET栅极驱动输出。这
引脚拉高由50μA电流源。 GATE拉
低通过在V无效的条件
IN
（ UVLO ） ，UV ， OV ，或电路
断路器故障超时。 GATE积极servoed控制
截至SENSE测得的故障电流。的补偿
电容在GATE稳定这个循环。比较器
监视器门，以确保它是低，允许一个前
初始定时周期中，门的斜坡上升的过电压后
限流故障后的事件或重启。在GATE
启动时，第二比较器检测，如果门是内
第五2.8V
IN
前PWRGD设置。
漏极（引脚7 ） ：
漏检测输入。排水措施
漏极 - 源极的外部N沟道MOSFET的电压
开关有两个目的：第一，一个比较器检测
V
DS
< 1.232V并且连同门高compara-
器，控制PWRGD输出的状态。第二，如果
V
DS
大于约漏极钳位
4.2V (V
DRNCL
） ，电流通过电阻器R
D
是多
由8合股，并添加到定时器的40μA的上拉电流
中的断路器的故障周期。这降低了
故障高的条件下，时间和MOSFET热
耗散。
OV （引脚8 ） ：
过压输入。活性高门槛
在OV引脚设置为3V相对于V
EE
和展品
0.15V的滞后。如果OV > 3V ， GATE拉低。当OV
低于2.85V的回报， GATE启动开始没有
最初的计时周期。如果在过压条件
一个初始的定时周期中，初始的定时周期
重新启动后，过压状态消失。一
过压状态不会重置PWRGD标志。该
内部UVLO在V
IN
始终覆盖OV 。一个1nF至10nF
电容在0V防止瞬变和开关噪声
从影响OV阈值，并防止毛刺在
GATE引脚。
8
U
U
U
421412f
