
硅平面功率达林顿晶体管
NPN
PNP
CJF100 CJF105
CJF101 CJF106
CJF102 CJF107
TO- 220FP全隔离
塑料包装
电气特性(T
C
= 25C除非另有规定)
描述
集电极发射极饱和电压
基极发射极电压
直流电流增益
符号
V
CE (SAT)
*
V
BE(上)
*
h
FE
*
测试条件
I
C
= 3A ,我
B
=6mA
I
C
= 8A ,我
B
=80mA
I
C
= 8A ,V
CE
=4V
I
C
= 3A ,V
CE
=4V
I
C
= 8A ,V
CE
=4V
民
-
-
-
1000
200
最大
2.0
2.5
2.8
20000
-
单位
V
V
动态特性
小信号电流增益
输出电容
lh
fe
l
C
o
I
C
= 3A ,V
CE
=4V,f=1MHz
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f =为0.1MHz
PNP
NPN
I
F
= - I
C
= 10A ,我
B
=0
4.0
-
-
-
-
300
200
6.0
pF
V
整流二极管的正向电压
V
F
*
*脉冲测试:脉冲宽度<
300s,
占空比< 2 %
大陆设备印度有限公司
数据表
第2页4