AO8820
常见的漏双N沟道增强型场效应
晶体管
概述
该AO8820采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压可低至1.8V ，而
保留了12V V
GS （ MAX）
投资评级。这是ESD保护。这
装置适合于用作单向或双
定向负荷开关，其共漏极便利
配置。
标准产品AO8820是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO8820L是
绿色产品订购选项。 AO8820和
AO8820L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 7A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 21mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 24mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 32mΩ （V
GS
= 2.5V)
RDS
（上）
<50mΩ （V
GS
= 1.8V)
ESD额定值： 2000V HBM
D1
TSSOP-8
顶视图
D1/D2
S1
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D1/D2
S2
S2
G2
D2
G1
G2
S1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
A
最大
20
±12
7
5.5
25
1.5
0.96
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=70°C
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
64
89
53
最大
83
120
70
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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