2SB649 ， 2SB649A
电气特性
（ TA = 25°C ）
2SB649
项
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
民
典型值
最大
—
—
—
–10
320
—
–1
–1.5
—
—
2SB649A
民
典型值
最大
—
—
—
–10
200
—
–1
–1.5
—
—
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= -1毫安，我
E
= 0
I
C
= -10毫安，R
BE
=
∞
I
E
= -1毫安，我
C
= 0
V
CB
= -160 V，I
E
= 0
V
CE
= –5 V,
I
C
= ± 150毫安
V
CE
= –5 V,
I
C
= -500毫安*
2
I
C
= -500毫安，
I
B
= -50毫安
V
CE
= –5 V,
I
C
= ± 150毫安
V
CE
= –5 V,
I
C
= ± 150毫安
V
CB
= -10 V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
–180 —
–120 —
–5
—
60
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
140
27
–180 —
–160 —
–5
—
60
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
140
27
直流电流传输比H
FE1
*
1
h
FE2
集电极到发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
基极至发射极电压V
BE
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
COB
注：1. 2SB649和2SB649A是用h分组
FE1
如下。
2.脉冲测试
B
2SB649
2SB649A
60至120
60至120
C
100至200
100至200
D
160到320
—
3
