LTC1147-3.3
LTC1147-5/LTC1147L
应用S我FOR ATIO
其中， L 1 ，L 2，等等，都是个别的损失作为百分比
年龄的输入功率。 （对于高效率的电路只有很小
正在发生的损失表示为百分比误差
输出功率）。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，四个主要来源通常占多数的
在LTC1147电路损耗： 1） LTC1147 DC偏置电流，
2 ） MOSFET栅极充电电流， 3 ）I
2
- [R损耗，以及4）
肖特基二极管的电压降。
1.直流供电电流流入电流
V
IN
（引脚1 ）少的栅极电荷电流。对于V
IN
= 10V
该LTC1147系列直流电源电流为160μA无
载荷，并与负载高达一成比例增加
该LTC1147系列已经进入后，不断1.6毫安
连续模式。由于直流偏置电流
从V画
IN
与造成的损失增加
输入电压。对于V
IN
= 10V的直流偏置损耗
通常超过30毫安负载电流小于1％ 。
然而，在非常低的负载电流中的直流偏置电流
几乎占全部损失。
从开关2. MOSFET的栅极充电电流结果
功率MOSFET的栅极电容。每次
一个MOSFET栅极从低切换到高到低
再次，充电包dQ的从V移动
IN
to
地面上。所得dQ的/ dt为一个电流输出Ⅴ的
IN
这通常比DC电源大得多
电流。在连续模式下，我
GATECHG
= F （Q
P
） 。该
对于一个0.135Ω P-沟道功率典型栅极电荷
MOSFET是40nC 。这导致我
GATECHG
= 4毫安在
100kHz的连续操作在2％至3 ％的典型
midcurrent损失V
IN
= 10V.
注意，栅极电荷损耗直接增加了与
两个输入电压和工作频率。这是
主要的原因，最高的效率电路
工作在中等频率。此外， AR-
针对使用较大的MOSFET超过必要gues
控制I
2
损失，因为矫枉过正可以成本效率
还有钱！
3. I
2
损失容易从直流电阻预测
该MOSFET ，电感和电流分流器的可用距离。在
连续模式下的平均输出电流FL OWS
通过L和R
SENSE
但之间的“斩波”
效率/损失（ ％ ）
U
P沟道和肖特基二极管。该MOSFET
DS （ ON）
乘以P沟道占空比可以概括
用L和R的电阻
SENSE
获得我
2
R
损失。例如，若R
DS （ ON）
= 0.1, R
L
= 0.15,
和R
SENSE
= 0.05Ω ，则总电阻为0.3Ω
在V
IN
≈
2V
OUT
。这导致的损失为3％
至10％的输出电流增大，从0.5A到
2A 。我
2
- [R损耗导致效率在高滚下
输出电流。
4.肖特基二极管的功率损耗的主要来源
高电流和恶化在高输入电压。
二极管损耗乘以正向计算
压降倍肖特基二极管占空比
乘以负载电流。例如，假定
超过50％的肖特基二极管的正向的占空比
0.4V的电压降，则损失增大，从0.5％至
8 ％的负载电流的增加，从0.5A到2A 。
图5显示了效率的损失如何在一个典型的
LTC1147系列调压器最终会被分摊。
栅极电荷损失负责，为广大
效率在midcurrent区域丢失。如果突发
运作模式是：未使用在低电流时，
仅在栅极电荷损耗会导致效率
下降到不可接受的水平。随着突发模式操作
化，直流电源电流表示独行（和
这仍然无法避免）损失部分
变得更高百分比作为输出电流
减少。正如预期的，我
2
损失和肖特基
二极管损耗占主导地位，在高负载电流。
100
栅极电荷
95
LTC1147我
Q
90
肖特基
二极管
I
2
R
85
80
0.01
0.03
0.3
1
0.1
输出电流（A ）
3
LTC1147 F05
W
U
U
图5.效率损失
sn1147 1147fds
11
