深圳市思半导体有限公司。
产品speci fi cation
BUL系列晶体管
特点
高电压能力
电子镇流器
高速开关
日光灯
BUL123D
范围的SOA
应用范围：
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
Tc=25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
价值
600
400
9
1.5
25
150
-65-150
TO-126
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性
特征
集电极截止电流
集电极截止电流
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基维持电压
集电极 - 发射极饱和电压
Tc=25°C
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
首席执行官
V
EBO
VCEsat晶体管
测试条件
V
CB
=600V
V
CE
=400V,I
B
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
I
C
=0.2A,I
B
=0.02A
I
C
=0.5A,I
B
=0.1A
I
C
=1.5A,I
B
=0.5A
Ic=0.5A,Ib=0.1A
V
CE
=5V,I
C
=1mA
7
10
5
2.0
4.0
2.0
us
V
40
400
9
0.30
0.35
0.85
1.2
V
V
民
最大
10
30
单位
A
A
V
V
基射极饱和电压
直流电流增益
VBEsat
h
FE
V
CE
=10V,I
C
=0.2A
V
CE
=5V,I
C
=1.5A
V
CC
=5V,
贮存时间
基极 - 发射极正向电压的
t
S
V
F
I
C
=0.25A
(UI9600)
I
R
=1.5A,
硅半导体
2005.12
1
