LTC4251/LTC4251-1/
LTC4251-2
应用S我FOR ATIO
10
归一化响应时间（秒/ μF ）
1
0.1
4
t
=
C
T
（ μF ） （ 235.8 D） - 5.8
0.01
0
20
40
60
80
故障占空比D （ ％ ）
100
425112 F03
图3.断路器响应时间
门
GATE拉低至V
EE
在以下任一操作
条件：在UVLO ，在最初的定时周期中，在一个
过压情况时，或者当LTC4251 / LTC4251-1 /
LTC4251-2是短路后锁断。当
门打开，一个58μA电流源充电MOSFET
门及任何相关的外部电容。 V
IN
范围
门开到不超过14.5V以上。
栅 - 漏电容（C
GD
）进料，通过在所述第一
功率的突然应用可引起栅极 - 源极
电压足以开启MOSFET 。独特的电路
拉GATE低，在V几乎没有可用的电压
IN
,
并消除电流尖峰的插入。大外部
栅极 - 源极电容因此，不需要为目的
补偿的C
GD
。相反，较小的值（ ≥10nF ）
电容C
C
是足够的。
C
还提供赔偿
为模拟电流限制回路。
SENSE
SENSE引脚是由断路器监控（ CB ）
比较器，将模拟电流限制（ACL）的放大器，以及
快速电流限制（ FCL）比较。这三个的
测量相对于V SENSE的潜力
EE
。如果SENSE
超过50mV时， CB比较激活230μA
计时器上拉。在100mV的，在ACL伺服放大器的
MOSFET的电流，并在200mV的整箱比较
突然拉动门低，企图使MOSFET的
在控制电流。如果任何这些条件依然存在
足够长的时间定时器充电
T
至4V （见方程
化（ 2 ） ）的LTC4251 / LTC4251-1 / LTC4251-2闭锁
和拉闸门低。
12
U
如果SENSE引脚遇到超过100mV的电压越大，
该ACL放大器将在伺服门向下
尝试控制MOSFET的电流。由于GATE过
驱动器正常工作的MOSFET ，该ACL放大器
需要时间来GATE放电到的门槛
MOSFET。对于轻度过载时， ACL放大器可以
控制MOSFET的电流，但在严重的情况下
过载电流可能过冲。在SENSE = 200mV的，
整箱比较接管，迅速排出
GATE引脚附近V
EE
势。整箱然后释放，并
ACL放大器接管。所有的定时器运行的时间。
整箱的效果是增加了一个非线性响应
控制回路有利于降低MOSFET的电流。
由于电感效应的系统，整箱通常
overcorrects限流回路，和GATE不足
笋。中环（电阻R零
C
串联在
栅电容）有助于ACL放大器恢复。
短路操作
从负载侧低阻抗所引起的电路特性
短示于图4。最初，电流过冲
V的模拟电流限制水平
SENSE
= 100mV的（曲线2 ）
作为GATE引脚工作带来V
GS
控制（跟踪3 ） 。
过冲毛刺在负背板
方向，并且当电流降低至100mV / R
S
背板响应由毛刺在正
方向。
定时器开始充电
T
（痕量4 ），而模拟
电流限制环路保持故障电流时为100mV / R
S
,
在这种情况下为5A （痕量2）。注意，该背板
电压（跟踪1）根据负荷骤降。当C
T
达到4V ，
门关闭时，负载电流下降到零，并在
背板戒指最多不超过100V 。正峰值是
通常是由雪崩击穿的MOSFET有限，
并且可以通过增加跨越一个齐纳二极管被进一步限定
输入从 - 48V到 - 48RTN ，如二极管公司
SMAT70A.
低阻抗短于一个卡可能影响
其他人共享同一个背板的行为。最初的
毛刺和如在图4中可见背板凹陷，迹线1 ，可以
抢电荷在相邻的卡输出电容。当
有故障的卡关闭时，电流流在刷新
425112f
W
U U
