初步的技术数据
参数
漏电流
V1段线路电压
V2段线路电压
V3段线路电压
片内基准
引用错误
电源抑制
温度COEF网络cient
数字接口
逻辑输入
所有的输入，除了XTAL1 ， XTAL2 ， BCTRL ，
INT0 ， INT1 ， RESET
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
BCTRL ， INT0 ， INT1 ， RESET
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
RESET
端口0，1， 2
民
典型值
最大
±20
LCDVA
LCDVB
LCDVC
±12
80
50
单位
nA
V
V
V
mV
dB
PPM /°C的
ADE75xx/ADE71xx
测试条件/评论
1/2和1/3偏置模式 - 空载
目前在段线= -2μA
目前在段线= -2μA
目前在段线= -2μA
LCDVA-0.1V
LCDVB-0.1V
LCDVC-0.1V
2.0
0.4
1.3
0.4
±10
100
±10
-250
-50
V
V
V
V
μA
μA
μA
μA
μA
pF
RESET = 0V
RESET = V
SWOUT
= 3.3V
内部上拉禁止的，输入 - 0V或V
OUT
内部上拉使能输入= 2V ，
V
SWOUT
=3.3V
内部上拉使能输入= 0.4V ，
V
SWOUT
=3.3V
所有数字输入
输入电容
晶体振荡器
晶体的等效串联电阻
晶振频率
XTAL1输入电容
XTAL2输出电容
MCU时钟速率 - F
CORE
逻辑输出
输出高电压，V
OH
I
来源
输出低电压，V
OL
I
SINK
浮态泄漏电流
浮态输出电容
启动时间
5
在上电
从省电模式2 （ PSM2 ）
从省电模式1 （ PSM1 ）
电源输入
V
DD
V
BAT
电源电源输出
V
BAT
到V
SWOUT
导通电阻
V
DD
到V
SWOUT
导通电阻
V
SWOUT
输出电流驱动
V
INTA
, V
INTD
10
30
32
50
33.5
32.768
12
12
4.096
32
kΩ
千赫
pF
pF
兆赫
千赫
V
μA
V
mA
μA
pF
ms
μs
μs
晶= 32.768kHz的和CD [2： 0] = 0
晶= 32.768kHz的和CD [2：0 ] = 0b111
V
DD
= 3.3 V ± 5%
V
DD
= 3.3 V ± 5%
2.4
80
0.4
2
±10
待定
待定
待定
待定
3.0
2.4
3.3
3.3
3.6
3.7
25
6.1
1
2.75
牧师上一页|第9页148
V
V
mA
V
V
BAT
= 2.4V
V
DD
= 3V
2.25
