MJE13007
电压要求
（续）
在这四个应用实施例（表2）的负载线是
相对于脉冲正向示出和反向偏置
SOA曲线。
在电路A和D，感抗是由夹紧
显示二极管。在电路B和C的电压被钳位
输出整流器，然而，感应出的电压的
初级漏感不是由这些二极管钳位
并且可以是大到足以破坏设备。一个缓冲
网络或另外的夹具，可能需要保持
关断负载线的反向偏置SOA曲线范围内。
属于脉冲正向偏置SOA内的负载线
期间的接通曲线和反向偏置的SOA曲线内
关断过程中被认为是安全的，但有以下
假设：
1.该设备的热限制不超过。
2.开启时间不超过10
s
（见图6个标准脉冲转发SOA曲线） 。
3.基极驱动条件是在规定的
在反向偏置的SOA曲线上示出的限制（图7） 。
电流要求
一个有效的开关晶体管，必须在操作
所需的电流电平具有良好的下降时间，高能量
处理能力和低饱和电压。有关此数据
片，这些参数已经在5.0安培指定
它表示典型的设计条件为这些设备。
当前驱动器的要求通常是由所决定
的VCE（ sat）的规范，因为最大饱和度
电压时，在其必须强制增益条件指定
复制或超过在该应用程序来控制
饱和电压。
倒换的需求
切换时间注意事项
在电阻开关电路，上升，下降和存储时间
已经确定，适用于电流和电压
的波形，因为它们是同相的。但是，对于电感性
加载中通用的开关模式电源
用品和任何线圈驱动器，电流和电压波形
不是同相的。因此，单独的测量必须
就每个波形以确定总开关
时间。出于这个原因，下面的新术语已经
定义。
TSV =电压贮存时间， 90 ％ IB1 10 ％ V钳位
TRV =电压上升时间， 10-90 ％ VCLAMP
TFI =电流下降时间， 90-10 ％ IC
TTI =电流拖尾， 10-2 ％ IC
TC =交叉时， 10％的V钳位至10％的IC
关断波形的放大部分示出
在图12中，以帮助在这些术语的视觉标识。为
设计者，存在储存期间最小的开关损耗
发生的时间和主要的开关功率损耗
交叉间隔期间，可使用得到
从AN222A标准方程：
PSWT = 1/2 VCCIC （ TC ）F
典型的电感式开关时间示于图13 。
在一般情况下， TRV + TFI
TC 。然而，在较低的测试电流这
关系可能是无效的。
为是与大多数的开关晶体管，电阻
开关被指定在25℃并已成为一个基准
设计师。然而，对于高频率的设计者
转换器电路中，面向用户的规格而
使之成为一个“开关模式”晶体管是感性
开关速度（TC和TSV ），其可以保证在100℃下。
在许多开关应用，的主要部分
期间下降时间（TFI ）时晶体管的功耗。
为此相当大的努力通常是专门用于
减小的下降时间。推荐的方式来完成
这是在反向偏置的基极 - 发射极结
关断。为反向偏置的开关特性
感性负载分别示于图12和13以及电阻
在图10和11一般在电感性负载的负载
部件将在开关模式的主导因素
应用程序和电感式开关的数据将更加
密切代表在实际器件性能
应用程序。所述电感式开关特性
从相同的电路推导用于指定反向
偏置SOA的曲线， （见表1）提供相关
间的测试程序和实际使用条件。
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