3
4
典型的耐力FLASH
该产品系列的9S12Dx64评价。有关如何附加信息
飞思卡尔半导体公司定义了典型的耐力，请参见工程公告EB619 / D，
典型的耐力
非易失性存储器。
典型的数据保留
值是基于该技术在高温下测得的固有能力和降额
至25℃，使用Arrhenius方程。有关如何更多的信息飞思卡尔半导体公司定义的典型数据
保留，请参见工程公告EB618 / D，
典型数据保留非易失性存储器。
7
7.1
应用注意事项
晶体振荡器的参考频率
IEEE 802.15.4标准的要求，几种频率容差保持在
±
40 ppm的精度。
这意味着一个总偏移高达80ppm的发送器和接收器将仍然产生可接受的
性能。该收发器的MC1321x提供板载水晶装饰电容，以协助本会议
性能。在符合802.15.4标准的主要决定因素，是公差
晶体振荡器的参考频率。许多因素可以造成这种宽容和晶体
规范将量化每个人：
1.晶体谐振频率本身的初始（或作出）的耐受性。
2.晶体的谐振频率随温度的变化。
3.晶体的谐振频率随时间的变化，通常也被称为老化。
4.晶体的谐振频率随负载电容的变化，通常也被称为
拉动。这是受：
一）外部负载电容值 - 初始容差，并随温度的变化。
二）内部微调电容器值 - 初始容差，并随温度的变化。
c）关于晶体引脚节点的寄生电容 - 包括杂散片上电容，杂散包
电容和杂散电容的电路板;其初始容差和变异与
温度。
5.与否的频率微调步骤将在生产中进行
7.1.1
晶体振荡器设计注意事项
飞思卡尔要求一个16MHz的晶体用<9 pF负载电容。该的MC1321x不
包含一个参考分频器，所以16兆赫的是，可以使用的唯一频率。晶体需要更高
负载电容是禁止的，因为放大器电路上较高的负载可能会损害其
性能。晶振制造商定义的负载电容的总容量外部可见
通过晶体的两个端子。中的MC1321x使用的振荡器放大器配置
需要从晶体到地面的每一个终端两个平衡负载电容。因此，该电容器
被看作是串联的结晶，所以每个人都必须是<18 pF的正确加载。
在
图34
晶体参考示意图，所述外部负载电容被示为每6.8 pF的，用于
与晶体需要8 pF负载电容一起使用。默认的内部装饰电容
值（ 2.4 pF的）和杂散电容的总价值（ 6.8 pF）的总结，以9.2 pF的总给人一种16 pF的了。值
对于杂散电容是凭经验确定假设默认的内部装饰电容值和
对于一个特定的电路板布局。不同的电路板布局可能需要不同的外部负载电容值。
MC13211 / 212 /二百十四分之二百一十三技术数据，版本0.0 ，
飞思卡尔半导体公司
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