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TM
修订历史
调整
0.0
0.1
历史
1.初始草案
1.
2.
3.
1.
2.
1.
2.
3.
1.
2.
3.
1.
2.
1.
2.
1.
2.
0.8
0.9
1.
惩教署已更改申请
添加命令响应时间
添加SPI总线时序
增加了订货信息(第6页)
增加了耗电量(第13页)
改变了CSD场(第22页)
更改的命令类(第30页)
补充工作特性(第14页)
改变的订购信息(第6页)
更改的存储器阵列结构(第9页)
变化C_SIZE和C_SIZE_MULT (第26页)
改变的CSD信息(页22,23 )
删除的段落就流读取和
部分读/写
的RS -MMC添加尺寸
加入产品代码RS -MMC
MMC卡的使用增加了产品代码
S3C49M8X01控制器
可编程CID加入产品代码
使用S3C49M8X01 MMC控制器
更改后的控制器类型,各种MMC的
草案日期
11月29日
th
2001
3月15日
th
2002
6月21日
st
2002
11月23日
rd
2002
4月7日
th
2003
4月26日
th
2003
11月12日
th
2003
12月2日
nd
2003
备注
初步
初步
0.2
0.3
初步
初步
0.4
先进
0.5
0.6
0.7
2月16日
th
2004
6月4日
th
2004
1.更改产品型号
- 改变从“不含铅”,以“无铅”为
NAND闪存PKG ( 5,6页)
2.更改CSD场(第23页)
3.更改ERASE_GRP_SIZE (第27页)
2

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