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M27C160
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 5V ± 5 ％或5V ±10 ％ ; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 8MHz的
电源电流
E = V
IL
，G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 5MHz时
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH（ 2）
V
OL
V
OH
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400A
2.4
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V
V
PP
= V
CC
–0.3
2
50
1
100
10
0.8
V
CC
+ 1
0.4
mA
mA
A
A
V
V
V
V
民
最大
±1
±10
70
单位
A
A
mA
I
CC
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
待机模式
该M27C160具有待机模式，该模式减少了
有功电流从50mA至100μA 。该
M27C160被置于待机模式通过硐
荷兰国际集团的CMOS高信号到E输入。当在
待机模式下，输出处于高阻抗
ANCE状态，独立对G输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的，通常使用
存储器阵列，该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中，E应该被解码并作为prima-
Ry的设备中选择的功能，一边将应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式，输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器需要
装置。
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
供应给设备。供给电流I
CC
具有重要意义的三段给系统
设计师的待机电流，有功电流
以及由所产生的瞬态峰值
下降和E的上升沿
的瞬时峰值电流的幅值是
依赖于容性和感性负载
的设备输出。相关的瞬态
电压峰值可通过遵守被抑制
与两线输出控制和通过适当地SE-
lected去耦电容。建议
一个0.1μF的陶瓷电容是用在每
V之间的设备
CC
和V
SS
。这应该是一个
固有的低电感高频型
并应放在尽可能接近的
装置。此外，一个4.7μF电解电容器
应V之间可以使用
CC
和V
SS
每
8设备。
该电容应安装在靠近电源
提供连接点。这个钙的目的
pacitor是克服所引起的电压降
的PCB走线电感的影响。
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