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IDT7018L
高速64K ×9双端口静态RAM
工业和商业温度范围
描述
该IDT7018是一种高速64K ×9双端口静态RAM 。该
IDT7018被设计为用作一个独立的576K位双端口RAM的
或作为组合主/从双端口RAM用于18位或更多的
字系统。采用IDT主/从双口RAM的方法
在18位或更广泛的存储系统应用成果全速，无错
自由操作，而无需额外的分立逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能由芯片控制使能（ CE
0
和CE
1
）使芯片上的
每个端口的电路进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常只有1W的功率运行。
该IDT7018封装在一个100引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ） 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
指数
NC
NC
A
7L
A
8L
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
A
14L
A
15L
NC
VCC
NC
NC
NC
NC
CE
0L
CE
1L
SEM
L
读/写
L
OE
L
GND
NC
NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
1
75
2
74
3
73
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
72
71
70
69
68
67
NC
NC
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
NC
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
NC
NC
IDT7018PF
PN100-1
(4)
100引脚TQFP
顶视图
(5)
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
NC
NC
A
7R
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
A
14R
A
15R
NC
GND
NC
NC
NC
NC
CE
0R
CE
1R
SEM
R
读/写
R
OE
R
GND
GND
NC
4841 DRW 02
注意事项：
1.所有的Vcc引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的零件标记的方向。
GND
I / O
8L
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I/O1
L
I / O
0L
VCC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
VCC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
I / O
8R
NC
NC
2
