【飞利浦半导体产品speci fi cation单稳态/非稳态多谐振荡器B 。引起的偏差的改变为VDD】,第9页-HEF4047BD PDF资料1-51电子网

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飞利浦半导体

产品speci fi cation

单稳态/非稳态多谐振荡器

B 。引起的偏差的改变为V

DD

HEF4047B

微星

除了变化，从单元到单元，所述非稳态周期可以作为频率的函数而变化相到V

DD

.

典型变化被以图形表示于图5和图6以10伏作为基准。

图5典型的O和期内精度电源电压的函数;非稳态模式;牛逼

AMB

= 25

°C.

曲线

A

B

C

f

O

千赫

10

5

1

C

t

pF

100

100

1000

R

t

k

220

470

220

1995年1月

9

9

共16页

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