飞利浦半导体
产品speci fi cation
四R / S与三态输出锁存器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
R
n
→
O
n
前高后低
S
n
→
O
n
从低到高
输出转换
时
前高后低
从低到高
三态传输延迟
输出禁用时间
EO
→
O
n
高
5
10
15
5
低
输出使能时间
EO
→
O
n
高
5
10
15
5
低
最小的S
n
脉冲宽度; HIGH
最低
n
脉冲宽度; HIGH
10
15
5
10
15
5
10
15
t
WRH
t
WSH
30
20
16
30
20
16
t
PZL
t
PZH
25
15
10
40
20
15
15
10
8
15
10
8
50
30
25
80
45
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
15
t
PLZ
t
PHZ
45
20
10
50
20
10
90
35
25
100
40
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
90
35
25
65
25
15
60
30
20
60
30
20
180
70
50
135
50
35
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
HEF4043B
微星
典型的外推
公式
63纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
38纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
7纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
又见波形
Fig.5
1995年1月
4
