飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D锁存
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
D
→
O, O
前高后低
5
10
15
5
从低到高
E
→
O, O
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
输出转换
时
前高后低
5
10
15
5
从低到高
建立时间
D
→
E
保持时间
D
→
E
最小启用
脉冲宽度
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
WE
t
HOLD
t
su
30
20
20
15
15
15
90
40
30
t
TLH
t
THL
60
30
20
60
30
20
10
5
5
5
0
0
45
20
15
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
15
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
95
40
30
85
40
30
130
50
35
120
50
35
190
80
55
175
75
60
260
105
75
245
105
75
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
分钟。典型值。马克斯。
HEF4042B
微星
典型的外推
公式
67纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
28纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
57纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
28纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
102纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
38纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
27纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
92纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
38纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
27纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
又见波形
图5和图6
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ W）
3800 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
15 700 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
41 100 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
4
