飞利浦半导体
产品speci fi cation
4位双向通用移位寄存器
功能表
输入（ MR = HIGH ）
经营模式
HOLD
左移
右移
并行加载
笔记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
2， L =低电平状态（不积极的电压）
3. X =状态是无关紧要
4. t
n
+
1
=下一个低到CP高转换后的状态
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1 500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
6 900 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
18 900 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
S
1
L
H
H
L
L
H
H
S
0
L
L
L
H
H
H
H
D
SR
X
X
X
L
H
X
X
D
SL
X
L
H
X
X
X
X
P
0
以P
3
X
X
X
X
X
L
H
O
0
O
0
O
1
O
1
L
H
L
H
HEF40194B
微星
产出AT＆T
n
+
1
O
1
O
1
O
2
O
2
O
0
O
0
L
H
O
2
O
2
O
3
O
3
O
1
O
1
L
H
O
3
O
3
L
H
O
2
O
2
L
H
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载上限。 （PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
4
