飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D- FL型IP- FL运
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
2000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
8400 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
22 500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
HEF40175B
微星
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
Fig.4
波形显示的最小脉冲宽度为CP和MR ， MR到CP的恢复时间，建立时间和
保持时间
n
到CP 。建立和保持时间表示为正值，但也可以指定为
负值。
应用信息
为HEF40175B应用的一些实例是：
移位寄存器
缓冲/存储寄存器
图形发生器
1995年1月
5
