飞利浦半导体
产品speci fi cation
四双边开关
笔记
V
is
是在一个Y或Z终端，取被分配为输入的输入电压。
V
os
为输出电压在一个Y或Z终端，取被指定为输出。
1. R
L
= 10 kΩ到V
SS
; C
L
= 50 pF到V
SS
; E
n
= V
DD
; V
is
= V
DD
（方波） ;参见图6和图10 。
2. R
L
= 10 kΩ的;
L
= 50 pF到V
SS
; E
n
= V
DD
（方波） ;
V
is
= V
DD
和R
L
到V
SS
对于T
PHZ
和T
PZH
;
V
is
= V
SS
和R
L
到V
DD
对于T
PLZ
和T
PZL
;参见图6和图11 。
3. R
L
= 10 kΩ的;
L
= 15 pF的; ê
n
= V
DD
; V
is
=
1
2
V
DD （ P-P ）
（正弦波，对称
1
2
V
DD
);
f
is
= 1千赫;见图7 。
4. R
L
= 1 kΩ的; V
is
=
1
2
V
DD （ P-P ）
（正弦波，对称
1
2
V
DD
);
V
os
(B)
-
20日志
------------------ = –
50分贝; ê
n
(A)
=
V
SS
;
E
n
(B)
=
V
DD
;
参照图8 。
V
is
(A)
5. R
L
= 10 kΩ到V
SS
; C
L
= 15 pF到V
SS
; E
n
= V
DD
（方波） ;串扰
V
os
（峰值） ;
见图6 。
6. R
L
= 1 kΩ的;
L
= 5 pF的; ê
n
= V
SS
; V
is
=
1
2
V
DD （ P-P ）
（正弦波，对称
1
2
V
DD
);
V
os
-
20日志
-------- = –
50分贝;参照图7 。
V
is
7. R
L
= 1 kΩ的;
L
= 5 pF的; ê
n
= V
DD
; V
is
=
1
2
V
DD （ P-P ）
（正弦波，对称
1
2
V
DD
);
V
os
-
20日志
-------- = –
3分贝;参照图7 。
V
is
HEF4016B
门
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
(1)
5
10
15
典型公式P（ μW ）
550 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
2 600 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
6 500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
记
1.所有的使能输入的开关。
1995年1月
6
