BZX85C3V3RL系列
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
I
Z
，齐纳电流（毫安）
20
50
100
6.2 V
V
Z
= 2.7 V
47 V
27 V
T
J
= 25°C
i
Z
（ RMS） = 0.1 I
Z
（DC）的
F = 60赫兹
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
1
2
3
5
7 10
20 30
V
Z
齐纳电压（V）
50
70 100
T
J
= 25°C
i
Z
（ RMS） = 0.1 I
Z
（DC）的
F = 60赫兹
Z Z ，动态阻抗（欧姆）
Z Z ，动态阻抗（欧姆）
I
Z
= 1毫安
5毫安
20毫安
齐纳电流的图6的影响
在齐纳阻抗
齐纳电压的图7的影响
在齐纳阻抗
10000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
I R ，漏电流（ μ A）
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3
4
5
6
7
8
400
300
典型漏电流
AT标称80 ％
击穿电压
200
C，电容（pF ）
100
50
20
10
8
4
1
2
0 V BIAS
1 V BIAS
击穿BIAS的50 ％
5
10
20
V
Z
，标称V
Z
（伏）
50
100
图9.典型电容与V
Z
1000
500
I F ，正向电流（mA ）
200
100
50
20
10
5 150°C
2
9
10
11
12
13
14
15
1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
75°C
25°C
0°C
0.9
1
1.1
+125°C
最低
最大
+25°C
V
Z
，额定齐纳电压（伏）
V
F
，正向电压（伏）
图8.典型漏电流
图10.典型的正向特性
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