一般数据 - 500 mW的DO- 35玻
Z Z ，动态阻抗（欧姆）
VZ = 2.7 V
47 V
27 V
Z Z ，动态阻抗（欧姆）
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
0.2
0.5
TJ = 25°C
IZ （有效值） = 0.1 IZ （直流）
F = 60赫兹
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
IZ = 1毫安
5毫安
20毫安
TJ = 25°C
IZ （有效值） = 0.1 IZ （直流）
F = 60赫兹
6.2 V
1
2
5
10
IZ ，齐纳电流（毫安）
20
50
100
1
2
3
5
7 10
20 30
VZ ，齐纳电流（毫安）
50
70 100
齐纳电流的图6的影响
在齐纳阻抗
齐纳电压的图7的影响
在齐纳阻抗
10000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
I R ，漏电流（ μ A）
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
+125°C
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
VZ ，额定齐纳电压（伏）
+25°C
典型漏电流
AT标称80 ％
击穿电压
400
300
200
0 V BIAS
C，电容（pF ）
100
1 V BIAS
50
20
10
8
4
1
2
5
10
20
VZ ，标称VZ （伏）
50
100
击穿BIAS的50 ％
图9.典型电容与VZ
1000
500
I F ，正向电流（mA ）
200
100
50
20
10
5 150°C
2
1
0.4
0.5
75°C
最低
最大
25°C
0°C
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
VF ，正向电压（伏）
图8.典型漏电流
图10.典型的正向特性
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
500毫瓦的DO - 35玻数据表
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