多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory

SST32HF201 / SST32HF202 / SST32HF401 / SST32HF402

SST32HF201 / 401分之202 / 4022Mb闪存+ 1Mb的SRAM ，闪存的2Mb +的2Mb SRAM ，

4MB闪存+ 1Mb的SRAM ， 4Mb的闪存+的2Mb SRAM （ X16 ） MCP ComboMemories

初步规格

产品特点：

MPF + SRAM ComboMemory

- SST32HF201 ： 128K X16闪存+ 64K SRAM X16

- SST32HF202 ： 128K X16闪存+ 128K x16的SRAM

- SST32HF401 ： 256K X16闪存+ 64K SRAM X16

- SST32HF402 ： 256K X16闪存+ 128K x16的SRAM

单2.7-3.3V读写操作

并发操作

- 读取或写入SRAM时

擦除/编程闪存

卓越的可靠性

- 耐力： 100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存时间

低功耗：

- 工作电流：15 mA（典型值）的

Flash或SRAM读

- 待机电流： 20 μA （典型值）

灵活的擦除能力

- 统一2K字扇区

- 统一32K字块大小

快速读取访问时间：

- 闪光： 70和90纳秒

- SRAM ： 70和90纳秒

锁存地址和数据的闪存

闪存快速擦除和字编程：

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）

- 字编程时间： 14 μs（典型值）

- 芯片重写时间：

SST32HF201 / 202 ：2秒（典型值）

SST32HF401 / 402 ：4秒（典型值）

闪光灯自动擦除和编程定时

- 内部V

PP

GENERATION

Flash检测写操作结束的

- 触发位

- 数据＃投票

CMOS I / O兼容性

JEDEC标准命令集

符合闪存的引脚

封装

- 48球LFBGA （ 6× 8毫米）

产品说明

该SST32HF20x / 40X ComboMemory器件集成了

128K X16或X16 256K CMOS闪存银行与

64K X16或X16 128K CMOS SRAM存储器组

多芯片封装（ MCP ） ，与SST的亲制造

专有的，高性能的超快闪技术。

拥有高性能的字编程，闪光

记忆银行提供的最大字编程时间

14微秒。整个闪存银行可擦除和

编程的字的字中通常为2秒

SST32HF201 / 202和4秒钟的SST32HF401 /

402 ，使用界面功能，如切换位时，或

数据＃投票指示完成程序的操作

化。为了防止意外闪存写入时，

SST32HF20x / 40X器件包含片上硬件和

软件数据保护schemes.The SST32HF20x / 40倍

器件提供10,000个周期的保证续航能力。

数据保留的额定功率为100年以上。

该SST32HF20x / 40X器件由两个独立的

与各银行的银行内存使能信号。该

闪存和SRAM存储器组叠加的

相同的存储器地址空间。两个内存银行股

常见的地址线，数据线， WE＃和OE ＃ 。该

存储体的选择是由存储体进行启用

信号。 SRAM的银行能信号， BES ＃选择

2001硅存储技术公司

S71209-00-000 9/01

557

1

SRAM银行。闪存存储器组使能信号， BEF ＃

选择闪存存储器区块。 WE＃信号必须

与软件数据保护（ SDP ）命令中使用

顺序控制擦除和编程操作时，

系统蒸发散在闪速存储器区块。在SDP命令

序列可保护存储在快闪存储器中的数据

意外改变银行。

该SST32HF20x / 40X提供的附加功能

能够同时读取或写入到

SRAM存储器而在快闪擦除或编程

记忆库。 SRAM的存储器区块可以被读取或

写闪存时，银行执行以部门

擦除，银行擦除，或字编程兼任。所有

闪存擦除和编程操作将automati-

美云锁存输入地址和数据信号，并完成

该操作在后台无需进一步输入激励

要求。一旦内部控制擦除或亲

克周期闪光灯银行已经开始，该SRAM

银行可访问的读取或写入。

该SST32HF20x / 40倍的设备适合于应用

两者都使用的快闪存储器和SRAM的存储器，用于存储

代码或数据。对于需要低功耗和小型系统

外形的SST32HF20x / 40X器件显著

提高性能和可靠性，同时降低功耗

在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

强积金及ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

规格若有变更，恕不另行通知。