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多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF201 / SST32HF202 / SST32HF401 / SST32HF402
初步规格
表11 ：F
LASH
R
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
SST32HF201/202/401/402-70
符号
T
RC
T
BE
T
AA
T
OE
T
BLZ1
T
OLZ1
T
BHZ1
T
OHZ1
T
OH
1
SST32HF201/202/401/402-90
民
90
最大
90
90
45
0
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
30
0
ns
ns
ns
T11.0 557
参数
读周期时间
银行启用访问时间
地址访问时间
输出启用访问时间
BEF ＃低到有源输出
OE ＃低到有源输出
BEF ＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
民
70
最大
70
70
35
0
0
20
20
0
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表12 ：F
LASH
P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
BP
T
AS
T
AH
T
BS
T
BH
T
OES
T
OEH
T
BPW
T
WP
T
WPH
T
前列腺增生
T
DS
T
DH
T
IDA
T
SE
T
BE
T
SCE
参数
字编程时间
地址建立时间
地址保持时间
WE ＃和BEF ＃设置时间
WE ＃和BEF ＃保持时间
OE ＃高的建立时间
OE ＃高保持时间
BEF ＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽高
BEF ＃脉冲宽高
数据建立时间
数据保持时间
软件ID准入和退出时间
扇区擦除
块擦除
芯片擦除
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
30
0
150
25
25
100
民
最大
20
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
T12.0 557
2001硅存储技术公司
S71209-00-000 9/01
557
10
