位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1496页 > MC56F8345VFG60 > MC56F8345VFG60 PDF资料 > MC56F8345VFG60 PDF资料3第126页
飞思卡尔半导体公司
图10-2
显示下列信号状态的定义：
活性状态下，当一个总线或信号被驱动，并进入低阻抗状态
三态，当一个总线或信号被置于高阻抗状态
数据有效状态，当信号电平达到V
OL
或V
OH
数据无效的状态中，当信号电平为V之间的过渡
OL
和V
OH
DATA1 VALID
Data1
数据无效状态
DATA2 VALID
Data2
数据
三态
数据活动
数据活动
数据3有效
Data3
飞思卡尔半导体公司...
图10-2信号状态
10.5闪存特性
表10-12闪存时序参数
特征
节目时间
1
擦除时间
2
整体擦除时间
符号
民
20
20
100
典型值
—
—
—
最大
—
—
—
单位
s
ms
ms
T
PROG
T
抹去
T
me
1.有额外的开销，这是在编程序列的一部分。见
56F8300外设用户手册
为
详细信息。节目时间是每16位字中的闪存存储器。两个词在时间的程序闪存内进行编程
模块，因为它包含两个交错的回忆。
2.指定页擦除时间。还有，在数据和引导闪存每页512字节。闪存程序MOD-
乌莱使用两个交错的闪速存储器，增加有效的页大小为1024个字节。
126
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
56F8345技术数据
初步
