MC54 / 74HC4351 MC54 / 74HC4353
应用信息
通道选择和启用控制引脚应在
VCC或GND的逻辑电平。 VCC被识别为一个逻辑
高和GND被确认为逻辑低。在这
例如：
VCC = + 5 V =逻辑高
GND = 0 V =逻辑低
最大模拟电压波动由下式确定
供给电压VCC和VEE 。正峰值的模拟
电压不要超过VCC 。类似地，负峰值
模拟电压应该不会低于VEE 。在这个例子中，
VCC和VEE之间的差异是10伏。因此，我们 -
荷兰国际集团的结构在图16中，最大的模拟信号
的10伏峰 - 峰值可被控制。未使用的模拟
输入/输出可以悬空（即不连接） 。然而
以往，追平未使用的模拟输入和输出VCC或GND
通过一个低阻值电阻有助于最大限度地减少串扰和
可拾起一个未使用的噪声馈通
开关。
虽然这里使用的，均衡的耗材不要求一
换货。在电源的唯一限制是：
VCC - GND = 2到6伏
VEE - GND = 0 - 6伏
VCC - VEE = 212伏
和VEE
v
GND
当电压瞬变上述VCC和/或下方的VEE是
预期对模拟通道，外部锗或
肖特基二极管（D x）的建议，如图
图17.这些二极管应该能够吸收马克西
妈妈裁剪过程中的预期浪涌电流。
+5 V
+5V
–5V
20
类似物
信号
+5 V
7
8
9
10
–5 V
15
13
12
11
TO外部CMOS
电路
05 V数字
信号的
VEE
ON
类似物
信号
+5V
–5V
Dx
Dx
VCC
VCC
20
开/关
VCC
Dx
Dx
VEE
VEE
9
10
图16.应用实例
图17.外部锗或
肖特基二极管削波
+5V
+5V
+5V
VEE
20
类似物
信号
开/关
类似物
信号
+5V
*
VCC
7
8
9
10
VEE
15
13
12
11
* 2 k
≤
R
≤
10 k
R
R
R
R
LSTTL / NMOS
电路
VCC
7
8
9
10
VEE
15
13
12
11
HCT
卜FF器
LSTTL / NMOS
电路
+5V
VEE
+5V
VEE
20
类似物
信号
开/关
类似物
信号
+5V
VEE
+5V
一。借助上拉电阻器
B 。使用HCT界面
图18.接口LSTTL / NMOS和CMOS输入
摩托罗拉
10
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
