M28F410
M28F420
4兆位（ x8或x16 ，块擦除）闪存
初步数据
双x8和x16组织
体积小塑料封装TSOP56
和SO44
以块存储器擦除
- 一个16K字节或8K字引导块（顶部或
底部的位置）与硬件写和
擦除保护
- 两个8K字节或4K Word中关键参数
块
- 一个96K字节或48K字主座
- 三128K字节或64K字块主
5V
±
10 ％电源电压
12V
±
5 ％的编程电压
100,000编程/擦除周期
编程/擦除控制器
自动静态模式
低功耗
- 60μA典型待机
- 0.2μA典型的深度掉电
- 20 / 25毫安典型工作功耗
（字节/字）
高速存取时间： 70ns的
扩展温度范围
44
1
TSOP56 （ N）
14× 20毫米
SO44 （M）的
图1.逻辑图
VCC
VPP
18
A0-A17
15
RP
DQ0-DQ14
M28F410
M28F420
字节
DQ15A-1
表1.信号名称
A0-A17
DQ0-DQ7
DQ8-
DQ14
DQ15A-1
E
G
W
字节
RP
V
PP
V
CC
1995年3月
地址输入
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出或输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
字节/字组织
复位/掉电/引导块解锁
节目&擦除电源电压
电源电压
W
E
G
VSS
AI01130C
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