M28F410 ， M28F420
表19A 。写AC特点，芯片使能受控
(1)
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
PP
= 12V
±
5%)
M28F410 / 20
-70
符号
ALT
参数
V
CC
= 5V
±
5%
SRAM
接口
民
t
AVAV
t
PHEL
t
WLEL
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
EHWH
t
EHEL
t
AVEH
t
PHHEH （5）
t
VPHEH （5）
t
EHAX
t
EHQV1
t
EHQV2
(2, 3)
-80
V
CC
= 5V
±
10%
EPROM
接口
民
80
210
0
50
50
0
10
30
50
100
100
10
6
0.3
0.3
0.6
0
0
100
100
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
ns
ns
单位
最大
t
WC
t
PS
t
CS
t
WP
t
DS
t
DH
t
CH
t
WPH
t
AS
t
小灵通
t
VPS
t
AH
写周期时间
掉电高到芯片使能低
写使能低到芯片使能低
芯片使能低到芯片使能高
数据有效到芯片使能高
芯片使能高到数据转换
芯片使能高到写使能高
芯片使能高，片
启用低
地址有效到芯片使能高
掉电VHH （引导块解锁），以芯片
启用高
V
PP
高到芯片使能高
芯片使能高到地址转换
芯片使能高到输出有效（字/字节
程序）
芯片使能高到输出有效（引导块
擦除）
芯片使能高到输出有效（参数
块擦除）
芯片使能高到输出有效（主座
擦除）
70
210
0
50
50
0
10
20
50
100
100
10
6
0.3
0.3
0.6
0
0
(2, 3)
t
EHQV3
(2)
t
EHQV4 （2）
t
QVPH
t
QVVPL
(5)
(5)
t
PHH
输出有效复位/掉电高
输出有效到V
PP
低
复位/掉电高到引导块重新锁定
t
PHBR （ 4,5）
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
参见图3和表8的定时测量。
时间被测量到状态寄存器读给位b 7 ='1' 。
为引导块RP的编程或擦除必须在V
HH
.
需要重新锁定的引导块的时间。
只有采样，而不是100 ％测试。
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